Materiaal:Siliciumcarbide (sic)
toepassing:Industriële Ceramisch
Vorm:Pijp
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:SiSiC
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:siliciumcarbide reactie in entrepot
Maximum temperatuur van toepassing:1380°
Dichtheid:>3.02g/cm3
Materiaal:SiSiC
Toepassingstemperatuur:1380
Warmtegeleidingsvermogen:>45w/m.k